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FDP18N20F
제품 모델:
FDP18N20F
제조사:
Fairchild/ON Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12243 Pieces
데이터 시트:
1.FDP18N20F.pdf2.FDP18N20F.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220AB
연속:UniFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):145 mOhm @ 9A, 10V
전력 소비 (최대):100W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-220-3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:7 Weeks
제조업체 부품 번호:FDP18N20F
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1180pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:26nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 200V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):200V
기술:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):18A (Tc)
Email:[email protected]

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