FUE30-12N1 - IXYS - 다이오드 브리지 정류기 FUE30-12N1 - BYCHIPS

FUE30-12N1

제품 모델:: FUE30-12N1

제조사:: IXYS Corporation

기술:: RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 15198 Pieces

데이터 시트:: FUE30-12N1.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 피크 역 (최대):	1200V
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우:	2.37V @ 10A
과학 기술:	Standard
제조업체 장치 패키지:	ISOPLUS i4-PAC™
연속:	-
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	i4-Pac™-5
다른 이름들:	FUE3012N1
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	8 Weeks
제조업체 부품 번호:	FUE30-12N1
확장 설명:	Bridge Rectifier Single Phase 1200V 30A Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
다이오드 유형:	Single Phase
기술:	RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
전류 - 누설 Vr에서 역방향:	100µA @ 1200V
전류 - 평균 정류 (Io):	30A
Email:	[email protected]

FUE30-12N1에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	VUO122-16NO7	IXYS	RECT BRIDGE 3PH 1600V ECO-PAC2	문의
	DB152G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 1.5A DB	문의
	DF202S-G	Comchip Technology	RECTIFIER BRIDGE 2.0A 200V DF	문의
	Z4GP210L-HF	Comchip Technology	RECT BRIDGE GP 1000V 2A ABSZ4	문의
	RS401L-BP	Micro Commercial Co	RECTIFIER BRIDGE 4A 50V RS-4L	문의
	MB102	Micro Commercial Co	RECTIFIER BRIDGE 10A 200V BR-6	문의
	BU25065S-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 600V 25A BU-5S	문의
	KBP201G	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 100V 2A KBP	문의
	APTDR70X1601G	Microsemi Corporation	RECT DIODE MODULE 3PH 1600V SP1	문의
	CBR1F-040	Central Semiconductor Corp	RECT BRIDGE 1.5A 400V A CASE	문의
	EDF1CM-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1A 150V 50NS GPP 4DIP	문의
	VBO55-12NO7	IXYS	DIODE BRIDGE 1200V 55A FO-T-A	문의
	VS-53MT160KPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK	문의
	GBJ610	Diodes Incorporated	RECT BRIDGE GPP 1000V 6A GBJ	문의
	KBU6G/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	RECTIFIER BRIDGE 6A 400V KBU	문의
	VBO30-08NO7	IXYS	DIODE BRIDGE 35A 800V PWS-A	문의

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