HGT1S20N60C3S9A - Fairchild/ON Semiconductor - 트랜지스터-이그bts-단일 HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

제품 모델:: HGT1S20N60C3S9A

제조사:: Fairchild/ON Semiconductor

기술:: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 13026 Pieces

데이터 시트:: HGT1S20N60C3S9A.pdf

문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	1.8V @ 15V, 20A
시험 조건:	480V, 20A, 10 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	28ns/151ns
에너지 전환:	295µJ (on), 500µJ (off)
제조업체 장치 패키지:	TO-263AB
연속:	-
전력 - 최대:	164W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	HGT1S20N60C3S9A
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
게이트 충전:	91nC
확장 설명:	IGBT 600V 45A 164W Surface Mount TO-263AB
기술:	IGBT 600V 45A 164W TO263AB
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	300A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	45A
Email:	[email protected]

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