HN1C03FU-A(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-어레이 HN1C03FU-A(TE85L,F

HN1C03FU-A(TE85L,F

제품 모델:: HN1C03FU-A(TE85L,F

제조사:: Toshiba Semiconductor

기술:: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 13182 Pieces

데이터 시트:: HN1C03FU-A(TE85L,F.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	20V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	100mV @ 3mA, 30mA
트랜지스터 유형:	2 NPN (Dual)
제조업체 장치 패키지:	US6
연속:	-
전력 - 최대:	200mW
포장:	Original-Reel®
패키지 / 케이스:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
다른 이름들:	HN1C03FU-A(TE85LFDKR
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	HN1C03FU-A(TE85L,F
주파수 - 전환:	30MHz
확장 설명:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
기술:	TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	200 @ 4mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	300mA
Email:	[email protected]

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