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IPB100N06S2L05ATMA1
IPB100N06S2L05ATMA1
제품 모델:
IPB100N06S2L05ATMA1
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17455 Pieces
데이터 시트:
IPB100N06S2L05ATMA1.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2V @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PG-TO263-3-2
연속:OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):4.4 mOhm @ 80A, 10V
전력 소비 (최대):300W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:IPB100N06S2L05ATMA1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:5660pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:230nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
소스 전압에 드레인 (Vdss):55V
기술:MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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영상 제품 모델 제조업체 기술 전망
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IPB100N06S3-03 Image IPB100N06S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK 문의
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