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IPB120N06N G
IPB120N06N G
제품 모델:
IPB120N06N G
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
14125 Pieces
데이터 시트:
IPB120N06N G.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 94µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PG-TO263-2
연속:OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):11.7 mOhm @ 75A, 10V
전력 소비 (최대):158W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:IPB120N06N G-ND
IPB120N06NGINTR
IPB120N06NGXT
SP000204176
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:IPB120N06N G
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2100pF @ 30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:62nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 60V 75A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
소스 전압에 드레인 (Vdss):60V
기술:MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):75A (Tc)
Email:[email protected]

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IPB120N04S402ATMA1 Image IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 문의
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IPB120N06S4H1ATMA2 Image IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 문의
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