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IPD60R1K4C6
- 제품 모델:
- IPD60R1K4C6
- 기술:
- MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 20207 Pieces
- 데이터 시트:
- IPD60R1K4C6.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. IPD60R1K4C6, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. IPD60R1K4C6을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
| 연속: | CoolMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 28.4W (Tc) |
| 포장: | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 다른 이름들: | IPD60R1K4C6DKR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | IPD60R1K4C6 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 200pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 확장 설명: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
| 기술: | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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