IPI037N08N3GXKSA1
IPI037N08N3GXKSA1
제품 모델:
IPI037N08N3GXKSA1
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 80V 100A
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
14278 Pieces
데이터 시트:
IPI037N08N3GXKSA1.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):3.5V @ 155µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PG-TO262-3
연속:OptiMOS™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.75 mOhm @ 100A, 10V
전력 소비 (최대):214W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들:SP000680654
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:14 Weeks
제조업체 부품 번호:IPI037N08N3GXKSA1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:8110pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:117nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
소스 전압에 드레인 (Vdss):80V
기술:MOSFET N-CH 80V 100A
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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