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IPW60R099P6XKSA1
IPW60R099P6XKSA1
제품 모델:
IPW60R099P6XKSA1
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 600V TO247-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18074 Pieces
데이터 시트:
IPW60R099P6XKSA1.pdf
문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. IPW60R099P6XKSA1, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. IPW60R099P6XKSA1을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 1.21mA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PG-TO247-3
연속:CoolMOS™ P6
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):99 mOhm @ 14.5A, 10V
전력 소비 (최대):278W (Tc)
포장:Tube
패키지 / 케이스:TO-247-3
다른 이름들:SP001114658
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:8 Weeks
제조업체 부품 번호:IPW60R099P6XKSA1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3330pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:70nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
기술:MOSFET N-CH 600V TO247-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):37.9A (Tc)
Email:[email protected]

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