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IRFHM830TR2PBF
IRFHM830TR2PBF
제품 모델:
IRFHM830TR2PBF
제조사:
International Rectifier (Infineon Technologies)
기술:
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13760 Pieces
데이터 시트:
IRFHM830TR2PBF.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.35V @ 50µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PQFN (3x3)
연속:HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.8 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):2.7W (Ta), 37W (Tc)
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:8-VQFN Exposed Pad
다른 이름들:IRFHM830TR2PBFDKR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:IRFHM830TR2PBF
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:2155pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:31nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
기술:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):21A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN 문의
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