사다 BYCHPS가있는 IXFN36N100
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 8mA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | SOT-227B |
연속: | HiPerFET™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 240 mOhm @ 500mA, 10V |
전력 소비 (최대): | 700W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | SOT-227-4, miniBLOC |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Chassis Mount |
제조업체 표준 리드 타임: | 4 Weeks |
제조업체 부품 번호: | IXFN36N100 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 9200pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 1000V (1kV) 36A 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1000V (1kV) |
기술: | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 36A |
Email: | [email protected] |