사다 BYCHPS가있는 IXTY1R6N100D2
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아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-252, (D-Pak) |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
전력 소비 (최대): | 100W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 8 Weeks |
제조업체 부품 번호: | IXTY1R6N100D2 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 645pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 27nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | Depletion Mode |
확장 설명: | N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1000V (1kV) |
기술: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 1.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |