JAN2N4957UB - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf JAN2N4957UB

JAN2N4957UB

제품 모델:: JAN2N4957UB

제조사:: Microsemi

기술:: TRANS PNP 30V 30MA

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 납 함유 / RoHS 비 준수

사용 가능한 수량:: 17279 Pieces

데이터 시트:: JAN2N4957UB.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	30V
트랜지스터 유형:	PNP
제조업체 장치 패키지:	UB
연속:	-
전력 - 최대:	200mW
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	3-SMD, No Lead
다른 이름들:	1086-20995 1086-20995-MIL
작동 온도:	-65°C ~ 200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	3.5dB @ 450MHz
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	23 Weeks
제조업체 부품 번호:	JAN2N4957UB
이득:	25dB
주파수 - 전환:	-
확장 설명:	RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB
기술:	TRANS PNP 30V 30MA
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	30 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	30mA
Email:	[email protected]

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