JAN2N6798 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 JAN2N6798

JAN2N6798

소개

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보장 구매

아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	TO-39
연속:	Military, MIL-PRF-19500/557
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	420 mOhm @ 5.5A, 10V
전력 소비 (최대):	800mW (Ta), 25W (Tc)
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	TO-205AF Metal Can
다른 이름들:	JAN2N6798-MIL
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	JAN2N6798
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	42.07nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
확장 설명:	N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
소스 전압에 드레인 (Vdss):	200V
기술:	MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	5.5A (Tc)
Email:	[email protected]

제품 모델	제조업체	기술	전망
JAN2N6758	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH TO-204AE TO-3	문의
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