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보장 구매
KSD227GBU
- 제품 모델:
- KSD227GBU
- 기술:
- TRANS NPN 25V 0.3A TO-92
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 13982 Pieces
- 데이터 시트:
- KSD227GBU.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. KSD227GBU, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. KSD227GBU을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 25V |
|---|---|
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 400mV @ 30mA, 300mA |
| 트랜지스터 유형: | NPN |
| 제조업체 장치 패키지: | TO-92-3 |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 400mW |
| 포장: | Bulk |
| 패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 작동 온도: | 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | KSD227GBU |
| 주파수 - 전환: | - |
| 확장 설명: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 300mA 400mW Through Hole TO-92-3 |
| 기술: | TRANS NPN 25V 0.3A TO-92 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 200 @ 50mA, 1V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
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