MS1008 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf MS1008 - BYCHIPS

MS1008

제품 모델:: MS1008

제조사:: Microsemi

기술:: TRANS RF BIPO 233W 10A TO-220AC

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18984 Pieces

데이터 시트:: MS1008.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	55V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	M164
연속:	-
전력 - 최대:	233W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	M164
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	MS1008
이득:	14dB
주파수 - 전환:	30MHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 55V 10A 30MHz 233W Chassis Mount M164
기술:	TRANS RF BIPO 233W 10A TO-220AC
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	15 @ 1.4A, 6V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	10A
Email:	[email protected]

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영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	BFP405FH6327XTSA1	Infineon Technologies	TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4	문의
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	BFR 183T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75	문의
	MS1001	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 270W 20A M174	문의
	MS1004	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 270W 20A TO-220AC	문의
	MS1007	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 233W 10A M174	문의
	BFU520XRVL	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143R	문의

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