MS2200 - Microsemi Corporation - 트랜지스터-양극 (bjt)-rf MS2200 - BYCHIPS

MS2200

제품 모델:: MS2200

제조사:: Microsemi

기술:: TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 13185 Pieces

데이터 시트:: MS2200.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	65V
트랜지스터 유형:	NPN
제조업체 장치 패키지:	M102
연속:	-
전력 - 최대:	1167W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	M102
작동 온도:	200°C (TJ)
잡음 지수 (f에서 dB Typ):	-
실장 형:	Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	MS2200
이득:	9.7dB
주파수 - 전환:	400MHz ~ 500MHz
확장 설명:	RF Transistor NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W Chassis Mount M102
기술:	TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	20 @ 5A, 5V
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	43.2A
Email:	[email protected]

MS2200에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	MS2205	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 21.9W 1A M220	문의
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	23A025	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 9W 1.2A 55BT2	문의
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	MS2202	Microsemi Corporation	TRANS BIPO NPN M115	문의
	MS2206	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 7.5W 1A M115	문의
	MS2201	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 10W 250MA M220	문의
	MS2209	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 220W 7A M218	문의

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