NE4210S01 - CEL - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf NE4210S01 - BYCHIPS

NE4210S01

제품 모델:: NE4210S01

제조사:: CEL (California Eastern Laboratories)

기술:: HJ-FET 13DB S01

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18086 Pieces

데이터 시트:: NE4210S01.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	2V
전압 - 정격:	4V
트랜지스터 유형:	HFET
제조업체 장치 패키지:	SMD
연속:	-
전력 - 출력:	-
포장:	Cut Strip
패키지 / 케이스:	4-SMD
잡음 지수:	0.5dB
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	NE4210S01
이득:	13dB
회수:	12GHz
확장 설명:	RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD
기술:	HJ-FET 13DB S01
정격 전류:	15mA
전류 - 테스트:	10mA
Email:	[email protected]

NE4210S01에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	BLF278/01,112	Ampleon USA Inc.	RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1	문의
	MRF7S38010HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 3.6GHZ NI-400	문의
	NE4210S01-T1B	CEL	HJ-FET 13DB S01	문의
	BLF2425M8L140J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	문의
	NE5550234-AZ	CEL	FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD	문의
	BLF8G20LS-220J	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B	문의
	MRF8VP13350GNR3	NXP USA Inc.	TRANS RF LDMOS 350W 50V	문의
	MRF9045NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 945MHZ TO272-2	문의
	BLS7G2730L-200PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539A	문의
	BLC8G27LS-210PVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	문의

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