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NSBA123TF3T5G
NSBA123TF3T5G
제품 모델:
NSBA123TF3T5G
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
12390 Pieces
데이터 시트:
NSBA123TF3T5G.pdf
문의

소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):250mV @ 300µA, 10mA
트랜지스터 유형:PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:SOT-1123
연속:-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):-
저항기 -베이스 (R1) (옴):2.2k
전력 - 최대:254mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-1123
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:13 Weeks
제조업체 부품 번호:NSBA123TF3T5G
주파수 - 전환:-
확장 설명:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
기술:TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:160 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):100mA
Email:[email protected]

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NSBA124EDXV6T1 Image NSBA124EDXV6T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA124EDXV6T5G Image NSBA124EDXV6T5G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
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NSBA123JDP6T5G Image NSBA123JDP6T5G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 문의
NSBA123TDP6T5G Image NSBA123TDP6T5G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 문의
NSBA123EDXV6T1 Image NSBA123EDXV6T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA123JDXV6T5G Image NSBA123JDXV6T5G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA123JF3T5G Image NSBA123JF3T5G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 문의
NSBA124EDXV6T1G Image NSBA124EDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA123EDXV6T1G Image NSBA123EDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA123EF3T5G Image NSBA123EF3T5G ON Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP 문의
NSBA124EF3T5G Image NSBA124EF3T5G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 문의
NSBA123JDXV6T1 Image NSBA123JDXV6T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의
NSBA124XDXV6T1G Image NSBA124XDXV6T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 문의

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