NSS1C200LT1G - ON Semiconductor - 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-싱글 NSS1C200LT1G

NSS1C200LT1G

제품 모델:: NSS1C200LT1G

제조사:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

기술:: TRANS PNP 100V 2A SOT-23

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 14346 Pieces

데이터 시트:: NSS1C200LT1G.pdf

문의

소개

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규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	100V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	250mV @ 200mA, 2A
트랜지스터 유형:	PNP
제조업체 장치 패키지:	SOT-23-3 (TO-236)
연속:	-
전력 - 최대:	490mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
다른 이름들:	NSS1C200LT1G-ND NSS1C200LT1GOSTR
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	10 Weeks
제조업체 부품 번호:	NSS1C200LT1G
주파수 - 전환:	120MHz
확장 설명:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 120MHz 490mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
기술:	TRANS PNP 100V 2A SOT-23
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	120 @ 50mA, 2V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	2A
Email:	[email protected]

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