사다 BYCHPS가있는 NTLGD3502NT1G
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NTLGD3502NT1G
- 제품 모델:
- NTLGD3502NT1G
- 기술:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 16223 Pieces
- 데이터 시트:
- NTLGD3502NT1G.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. NTLGD3502NT1G, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. NTLGD3502NT1G을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2V @ 250µA |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지: | 6-DFN (3x3) |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| 전력 - 최대: | 1.74W |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 6-VDFN Exposed Pad |
| 다른 이름들: | NTLGD3502NT1G-ND NTLGD3502NT1GOSTR |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | NTLGD3502NT1G |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 480pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4nC @ 4.5V |
| FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징: | Logic Level Gate |
| 확장 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.3A, 3.6A 1.74W Surface Mount 6-DFN (3x3) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
| 기술: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4.3A, 3.6A |
| Email: | [email protected] |
NTLGD3502NT1G에 대한 관련 부품
| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC | 문의 |
 |
DMP4047SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC | 문의 |
 |
APTM100H35FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3 | 문의 |
 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 문의 |
 |
QS6J3TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | 문의 |
 |
NTLGD3502NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN | 문의 |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | 문의 |
 |
SI3948DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP | 문의 |
|
APTM100H80FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1 | 문의 |
|
SI5904DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 | 문의 |
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