NTMS4P01R2
제품 모델:
NTMS4P01R2
제조사:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술:
MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량:
13721 Pieces
데이터 시트:
NTMS4P01R2.pdf

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. NTMS4P01R2, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. NTMS4P01R2을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
사다 BYCHPS가있는 NTMS4P01R2
보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):1.15V @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-SOIC
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):45 mOhm @ 4.5A, 4.5V
전력 소비 (최대):790mW (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들:NTMS4P01R2OS
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:NTMS4P01R2
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1850pF @ 9.6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:35nC @ 4.5V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 12V 3.4A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
소스 전압에 드레인 (Vdss):12V
기술:MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):3.4A (Ta)
Email:[email protected]

빠른 견적 요청

제품 모델
수량
회사
이메일
전화
메모/주석