PTAB182002TCV2R250XTMA1 - Infineon Technologies - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf PTAB182002TCV2R250XTMA1 - BYCHIPS

PTAB182002TCV2R250XTMA1

제품 모델:: PTAB182002TCV2R250XTMA1

제조사:: International Rectifier (Infineon Technologies)

기술:: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 14437 Pieces

데이터 시트:: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. PTAB182002TCV2R250XTMA1, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. PTAB182002TCV2R250XTMA1을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.

사다 BYCHPS가있는 PTAB182002TCV2R250XTMA1

보장 구매

규격

전압 - 테스트:	28V
전압 - 정격:	65V
트랜지스터 유형:	LDMOS
제조업체 장치 패키지:	H-49248H-4
연속:	-
전력 - 출력:	29W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	H-49248H-4
다른 이름들:	SP001483354
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	PTAB182002TCV2R250XTMA1
이득:	14.8dB
회수:	1.805GHz ~ 1.88GHz
확장 설명:	RF Mosfet LDMOS 28V 520mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.8dB 29W H-49248H-4
기술:	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
정격 전류:	10µA
전류 - 테스트:	520mA
Email:	[email protected]

PTAB182002TCV2R250XTMA1에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	PTAB182002FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	문의
	PTAB182002TCV2R250XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
	PTAB182002FCV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	문의
	PTAB182002TCV2XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4	문의

Latest 뉴스