QJD1210010
제품 모델:
QJD1210010
제조사:
Powerex, Inc.
기술:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
15740 Pieces
데이터 시트:
1.QJD1210010.pdf2.QJD1210010.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 10mA
제조업체 장치 패키지:Module
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):25 mOhm @ 100A, 20V
전력 - 최대:1080W
포장:Bulk
패키지 / 케이스:Module
작동 온도:-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Chassis Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:QJD1210010
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:10200pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:500nC @ 20V
FET 유형:2 N-Channel (Dual)
FET 특징:Standard
확장 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module
소스 전압에 드레인 (Vdss):1200V (1.2kV)
기술:MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100A
Email:[email protected]

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