사다 BYCHPS가있는 R6020KNZC8
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 1mA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-3PF |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 68W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-3P-3 Full Pack |
다른 이름들: | R6020KNZC8TR R6020KNZC8TR-ND |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
제조업체 부품 번호: | R6020KNZC8 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1550pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 600V 20A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-3PF |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
기술: | NCH 600V 20A POWER MOSFET |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |