RDN120N25
RDN120N25
제품 모델:
RDN120N25
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18351 Pieces
데이터 시트:
RDN120N25.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 1mA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-220FN
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):210 mOhm @ 6A, 10V
전력 소비 (최대):40W (Tc)
포장:Bulk
패키지 / 케이스:TO-220-3 Full Pack
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:RDN120N25
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1224pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:62nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
소스 전압에 드레인 (Vdss):250V
기술:MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):12A (Ta)
Email:[email protected]

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