RFM04U6P(TE12L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - 트랜지스터-fet, 모스 펫-rf RFM04U6P(TE12L,F) - BYCHIPS

RFM04U6P(TE12L,F)

RFM04U6P(TE12L,F)

제품 모델:: RFM04U6P(TE12L,F)

제조사:: Toshiba Semiconductor

기술:: MOSFET N-CH PW-MINI

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 18076 Pieces

데이터 시트:: RFM04U6P(TE12L,F).pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 테스트:	6V
전압 - 정격:	16V
트랜지스터 유형:	N-Channel
제조업체 장치 패키지:	PW-MINI
연속:	-
전력 - 출력:	4.3W
포장:	Original-Reel®
패키지 / 케이스:	TO-243AA
다른 이름들:	RFM04U6P(TE12LF)DKR
잡음 지수:	-
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	RFM04U6P(TE12L,F)
이득:	13.3dB
회수:	470MHz
확장 설명:	RF Mosfet N-Channel 6V 500mA 470MHz 13.3dB 4.3W PW-MINI
기술:	MOSFET N-CH PW-MINI
정격 전류:	2A
전류 - 테스트:	500mA
Email:	[email protected]

RFM04U6P(TE12L,F)에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	PD84008L-E	STMicroelectronics	FET RF 25V 870MHZ	문의
	PTFA211801F V4 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 180W H-37260-2	문의
	MRF5S21100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	문의
	BLF644PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A	문의
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	MRFG35002N6R5	NXP USA Inc.	FET RF 8V 3.55GHZ	문의
	MMRF1007HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S	문의
	BLL6H1214P2S-250Z	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE	문의

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