RJH1CF5RDPQ-80#T2 - Renesas Electronics America - 트랜지스터-이그bts-단일 RJH1CF5RDPQ-80#T2

RJH1CF5RDPQ-80#T2

제품 모델:: RJH1CF5RDPQ-80#T2

제조사:: Renesas Electronics America

기술:: IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 19469 Pieces

데이터 시트:: RJH1CF5RDPQ-80#T2.pdf

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소개

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보장 구매

규격

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	2.4V @ 15V, 25A
시험 조건:	-
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	-
에너지 전환:	-
제조업체 장치 패키지:	TO-247
연속:	-
전력 - 최대:	192.3W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-247-3
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	16 Weeks
제조업체 부품 번호:	RJH1CF5RDPQ-80#T2
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
확장 설명:	IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247
기술:	IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	50A
Email:	[email protected]

RJH1CF5RDPQ-80#T2에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
RJH1CF6RDPQ-80#T2	Renesas Electronics America	IGBT 1200V 55A 227.2W TO247	문의
IRGPS47160DPBF	Infineon Technologies	IGBT 600V TO247 COPAK	문의
SKB06N60ATMA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2	문의
RJH1CF4RDPQ-80#T2	Renesas Electronics America	IGBT 1200V 40A 156.2W TO247	문의
IRG4BC30S-STRLP	Infineon Technologies	IGBT 600V 34A 100W D2PAK	문의
FGB20N60SFD_F085	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 40A 208W D2PAK	문의
STGW60H65F	STMicroelectronics	IGBT 650V 120A 360W TO247	문의
IXGH32N90B2D1	IXYS	IGBT 900V 64A 300W TO247	문의
RJH1CF7RDPQ-80#T2	Renesas Electronics America	IGBT 1200V 60A 250W TO247	문의

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