SCT2750NYTB
제품 모델:
SCT2750NYTB
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
1700V .75 OHM 6A SIC FET
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18687 Pieces
데이터 시트:
SCT2750NYTB.pdf

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 630µA
Vgs (최대):+22V, -6V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-268
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):975 mOhm @ 1.7A, 18V
전력 소비 (최대):57W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
다른 이름들:SCT2750NYTBTR
작동 온도:175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:15 Weeks
제조업체 부품 번호:SCT2750NYTB
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:275pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:17nC @ 18V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1700V (1.7kV) 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):18V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1700V (1.7kV)
기술:1700V .75 OHM 6A SIC FET
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):5.9A (Tc)
Email:[email protected]

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