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SCT2H12NYTB
제품 모델:
SCT2H12NYTB
제조사:
LAPIS Semiconductor
기술:
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17087 Pieces
데이터 시트:
SCT2H12NYTB.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):4V @ 410µA
Vgs (최대):+22V, -6V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:TO-268
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
전력 소비 (최대):44W (Tc)
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
다른 이름들:SCT2H12NYTBDKR
작동 온도:175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:15 Weeks
제조업체 부품 번호:SCT2H12NYTB
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:184pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:14nC @ 18V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1700V (1.7kV) 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):18V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1700V (1.7kV)
기술:1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):4A (Tc)
Email:[email protected]

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