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SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3
제품 모델:
SI1013R-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
14878 Pieces
데이터 시트:
SI1013R-T1-GE3.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):450mV @ 250µA (Min)
Vgs (최대):±6V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SC-75A
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
전력 소비 (최대):150mW (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SC-75A
다른 이름들:SI1013R-T1-GE3TR
SI1013RT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:12 Weeks
제조업체 부품 번호:SI1013R-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):1.8V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
기술:MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):350mA (Ta)
Email:[email protected]

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