사다 BYCHPS가있는 SI1972DH-T1-E3
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.8V @ 250µA |
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제조업체 장치 패키지: | SC-70-6 (SOT-363) |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 225 mOhm @ 1.3A, 10V |
전력 - 최대: | 1.25W |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
다른 이름들: | SI1972DH-T1-E3TR SI1972DHT1E3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | SI1972DH-T1-E3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 75pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.8nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Standard |
확장 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
기술: | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 1.3A |
Email: | [email protected] |