사다 BYCHPS가있는 SI4420DYTR
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 9 mOhm @ 12.5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 2.5W (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | SI4420DYTR |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2240pF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 30V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
기술: | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |