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SI4477DY-T1-GE3
제품 모델:
SI4477DY-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18450 Pieces
데이터 시트:
SI4477DY-T1-GE3.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):1.5V @ 250µA
Vgs (최대):±12V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:8-SO
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):6.2 mOhm @ 18A, 4.5V
전력 소비 (최대):3W (Ta), 6.6W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들:SI4477DY-T1-GE3-ND
SI4477DY-T1-GE3TR
SI4477DYT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:24 Weeks
제조업체 부품 번호:SI4477DY-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:4600pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:190nC @ 10V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
기술:MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):26.6A (Tc)
Email:[email protected]

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