SI4973DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

제품 모델:: SI4973DY-T1-GE3

제조사:: Vishay / Siliconix

기술:: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 17844 Pieces

데이터 시트:: SI4973DY-T1-GE3.pdf

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소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):	3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:	8-SO
연속:	TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	23 mOhm @ 7.6A, 10V
전력 - 최대:	1.1W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:	SI4973DY-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	56nC @ 10V
FET 유형:	2 P-Channel (Dual)
FET 특징:	Logic Level Gate
확장 설명:	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.8A 1.1W Surface Mount 8-SO
소스 전압에 드레인 (Vdss):	30V
기술:	MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	5.8A
Email:	[email protected]

SI4973DY-T1-GE3에 대한 관련 부품

제품 모델	제조업체	기술	전망
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