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SI5481DU-T1-GE3
제품 모델:
SI5481DU-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
15014 Pieces
데이터 시트:
SI5481DU-T1-GE3.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):1V @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PowerPAK® ChipFet Single
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
전력 소비 (최대):3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:PowerPAK® ChipFET™ Single
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:SI5481DU-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1610pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:50nC @ 8V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
기술:MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

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