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SI7190DP-T1-GE3
- 제품 모델:
- SI7190DP-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 12169 Pieces
- 데이터 시트:
- SI7190DP-T1-GE3.pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. SI7190DP-T1-GE3, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. SI7190DP-T1-GE3을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (최대): | ±20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 |
| 연속: | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 118 mOhm @ 4.4A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 5.4W (Ta), 96W (Tc) |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | PowerPAK® SO-8 |
| 다른 이름들: | SI7190DP-T1-GE3TR SI7190DPT1GE3 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SI7190DP-T1-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2214pF @ 125V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 확장 설명: | N-Channel 250V 18.4A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 6V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 250V |
| 기술: | MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 18.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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