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SI8405DB-T1-E1
SI8405DB-T1-E1
제품 모델:
SI8405DB-T1-E1
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19803 Pieces
데이터 시트:
SI8405DB-T1-E1.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):950mV @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:4-Microfoot
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):55 mOhm @ 1A, 4.5V
전력 소비 (최대):1.47W (Ta)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:4-XFBGA, CSPBGA
다른 이름들:SI8405DB-T1-E1TR
SI8405DBT1E1
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:SI8405DB-T1-E1
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:21nC @ 4.5V
FET 유형:P-Channel
FET 특징:-
확장 설명:P-Channel 12V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
소스 전압에 드레인 (Vdss):12V
기술:MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):3.6A (Ta)
Email:[email protected]

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