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SIR862DP-T1-GE3
SIR862DP-T1-GE3
제품 모델:
SIR862DP-T1-GE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
18174 Pieces
데이터 시트:
SIR862DP-T1-GE3.pdf
문의

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.3V @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:PowerPAK® SO-8
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):2.8 mOhm @ 15A, 10V
전력 소비 (최대):5.2W (Ta), 69W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:PowerPAK® SO-8
다른 이름들:SIR862DP-T1-GE3TR
SIR862DPT1GE3
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:24 Weeks
제조업체 부품 번호:SIR862DP-T1-GE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3800pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:90nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 25V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
소스 전압에 드레인 (Vdss):25V
기술:MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):50A (Tc)
Email:[email protected]

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