SIRA20DP-T1-RE3
SIRA20DP-T1-RE3
제품 모델:
SIRA20DP-T1-RE3
제조사:
Vishay / Siliconix
기술:
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
17099 Pieces
데이터 시트:
SIRA20DP-T1-RE3.pdf

소개

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보장 구매

규격

아이디 @ VGS (일) (최대):2.1V @ 250µA
Vgs (최대):+16V, -12V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):0.58 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):6.25W (Ta), 104W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:PowerPAK® SO-8
다른 이름들:SIRA20DP-RE3
SIRA20DP-T1-RE3TR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:19 Weeks
제조업체 부품 번호:SIRA20DP-T1-RE3
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:10850pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:200nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):25V
기술:MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):81.7A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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