STN1HNK60
제품 모델:
STN1HNK60
제조사:
ST
기술:
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
13442 Pieces
데이터 시트:
STN1HNK60.pdf

소개

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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):3.7V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:SOT-223
연속:SuperMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):8.5 Ohm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대):3.3W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-261-4, TO-261AA
다른 이름들:497-4668-2
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:18 Weeks
제조업체 부품 번호:STN1HNK60
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:156pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:10nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 600V 400mA (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):600V
기술:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):400mA (Tc)
Email:[email protected]

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