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STW3N170
STW3N170
제품 모델:
STW3N170
제조사:
ST
기술:
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19459 Pieces
데이터 시트:
STW3N170.pdf
문의

소개

BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. STW3N170, 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. STW3N170을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
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규격

아이디 @ VGS (일) (최대):5V @ 250µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:PowerMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):13 Ohm @ 1.3A, 10V
전력 소비 (최대):160mW
포장:Tube
패키지 / 케이스:3-SIP
다른 이름들:497-16332-5
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:18 Weeks
제조업체 부품 번호:STW3N170
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:1100pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:44nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
확장 설명:N-Channel 1700V (1.7kV) 2.6A (Ta) 160mW Through Hole
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):1700V (1.7kV)
기술:N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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