사다 BYCHPS가있는 SUD35N10-26P-T4GE3
보장 구매
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4.4V @ 250µA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-252, (D-Pak) |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 26 mOhm @ 12A, 10V |
전력 소비 (최대): | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
제조업체 부품 번호: | SUD35N10-26P-T4GE3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2000pF @ 12V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 7V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
기술: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |