TC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4
제품 모델:
TC58BVG2S0HBAI4
제조사:
Toshiba Semiconductor
기술:
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
19486 Pieces
데이터 시트:
TC58BVG2S0HBAI4.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 공급:2.7 V ~ 3.6 V
제조업체 장치 패키지:63-TFBGA (9x11)
속도:25ns
연속:Benand™
포장:Tray
패키지 / 케이스:63-VFBGA
다른 이름들:ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH
작동 온도:-40°C ~ 85°C (TA)
수분 민감도 (MSL):3 (168 Hours)
메모리 유형:Non-Volatile
메모리 크기:4Gb (512M x 8)
메모리 형식:EEPROM
제조업체 부품 번호:TC58BVG2S0HBAI4
인터페이스:Parallel
기술:IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
Email:[email protected]

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