사다 BYCHPS가있는 TK20A60U(Q,M)
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아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 1mA |
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Vgs (최대): | ±30V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220SIS |
연속: | DTMOSII |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 190 mOhm @ 10A, 10V |
전력 소비 (최대): | 45W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 Full Pack |
다른 이름들: | TK20A60U(Q) TK20A60UQ TK20A60UQ-ND TK20A60UQM |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | TK20A60U(Q,M) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1470pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
확장 설명: | N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
기술: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20A (Ta) |
Email: | [email protected] |