UMD5NTR - Rohm Semiconductor - 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 UMD5NTR

UMD5NTR

소개

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사다 BYCHPS가있는 UMD5NTR

보장 구매

전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	300mV @ 500µA, 10mA
트랜지스터 유형:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:	UMT6
연속:	-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):	47k, 10k
저항기 -베이스 (R1) (옴):	47k, 4.7k
전력 - 최대:	150mW, 120mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	10 Weeks
제조업체 부품 번호:	UMD5NTR
주파수 - 전환:	250MHz
확장 설명:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
기술:	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	100mA
Email:	[email protected]

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	MUN5230DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	문의