VQ1006P-2 - Vishay Siliconix - 트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이 VQ1006P-2

VQ1006P-2

소개

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보장 구매

아이디 @ VGS (일) (최대):	2.5V @ 1mA
제조업체 장치 패키지:	14-DIP
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	4.5 Ohm @ 1A, 10V
전력 - 최대:	2W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	-
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	26 Weeks
제조업체 부품 번호:	VQ1006P-2
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	60pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	-
FET 유형:	4 N-Channel
FET 특징:	Logic Level Gate
확장 설명:	Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
소스 전압에 드레인 (Vdss):	90V
기술:	MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	400mA
Email:	[email protected]

제품 모델	제조업체	기술	전망
VQ1006P	Vishay Siliconix	MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP	문의
VQ1001P	Vishay Siliconix	MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP	문의
SI4913DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC	문의
APTC60DSKM45CT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1	문의
VQ1001P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP	문의
APTC60VDAM45T1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1	문의
VQ1006P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP	문의
DMN32D4SDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363	문의
ALD212904SAL	Advanced Linear Devices Inc.	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC	문의
IRF7341TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC	문의
VQ1004P-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205	문의
VQ1004P-2	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205	문의
FMM22-06PF	IXYS	MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC	문의
VQ1001P-2	Vishay Siliconix	MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP	문의
DMP2100UFU-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6	문의
VQ1004P	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205	문의