VUO36-12NO8 - IXYS - 다이오드 브리지 정류기 VUO36-12NO8 - BYCHIPS

VUO36-12NO8

제품 모델:: VUO36-12NO8

제조사:: IXYS Corporation

기술:: RECT BRIDGE 27A 1200V FO-B

무연 여부 / RoHS 준수 여부:: 무연 / RoHS 준수

사용 가능한 수량:: 17758 Pieces

데이터 시트:: VUO36-12NO8.pdf

소개

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보장 구매

규격

전압 - 피크 역 (최대):	1200V
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우:	1.04V @ 15A
과학 기술:	Standard
제조업체 장치 패키지:	FO-B
연속:	-
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	5-Square, FO-B
작동 온도:	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	QC Terminal
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:	8 Weeks
제조업체 부품 번호:	VUO36-12NO8
확장 설명:	Bridge Rectifier Three Phase 1200V 27A QC Terminal FO-B
다이오드 유형:	Three Phase
기술:	RECT BRIDGE 27A 1200V FO-B
전류 - 누설 Vr에서 역방향:	40µA @ 1200V
전류 - 평균 정류 (Io):	27A
Email:	[email protected]

VUO36-12NO8에 대한 관련 부품

영상	제품 모델	제조업체	기술	전망
	GBL06-M3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL	문의
	VUO36-08NO8	IXYS	RECT BRIDGE 27A 800V FO-B	문의
	VS-111MT100KPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK	문의
	GBU6D	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 200V 6A GBU	문의
	CBRHD-04 TR13	Central Semiconductor Corp	RECT BRIDGE 500MA 400V 4HD DIP	문의
	VUO36-18NO8	IXYS	RECT BRIDGE 27A 1800V FO-B	문의
	MB86-BP	Micro Commercial Co	RECTIFIER BRIDGE 8A 600V BR-6	문의
	G3SBA60L-M3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE 1PH 4A 600V	문의
	VUO36-14NO8	IXYS	RECT BRIDGE 27A 1400V FO-B	문의
	VUO36-16NO8	IXYS	RECT BRIDGE 27A 1600V FO-B	문의

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