사다 BYCHPS가있는 2N7637-GA
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아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
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과학 기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
제조업체 장치 패키지: | TO-257 |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 170 mOhm @ 7A |
전력 소비 (최대): | 80W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-257-3 |
다른 이름들: | 1242-1148 |
작동 온도: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 18 Weeks |
제조업체 부품 번호: | 2N7637-GA |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 720pF @ 35V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | - |
FET 유형: | - |
FET 특징: | - |
확장 설명: | 650V 7A (Tc) (165°C) 80W (Tc) Through Hole TO-257 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 650V |
기술: | TRANS SJT 650V 7A TO-257 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 7A (Tc) (165°C) |
Email: | [email protected] |