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HN1B01FU-Y(L,F,T)
- 제품 모델:
- HN1B01FU-Y(L,F,T)
- 기술:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 18218 Pieces
- 데이터 시트:
- HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
소개
BYCHIPS은 다음을위한 스타킹 배포자입니다. HN1B01FU-Y(L,F,T), 우리는 즉각적인 운송을위한 주식을 가지고 또한 오랜 시간 동안 공급 가능합니다. 에 대한 구매 계획을 보내주십시오. HN1B01FU-Y(L,F,T)을 이메일로 보내 주시면 귀하의 플랜에 따라 최상의 가격을드립니다.
규격
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
|---|---|
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 10mA, 100mA |
| 트랜지스터 유형: | NPN, PNP |
| 제조업체 장치 패키지: | US6 |
| 연속: | - |
| 전력 - 최대: | 200mW |
| 포장: | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들: | HN1B01FU-Y(LFT)CT |
| 작동 온도: | 125°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
| 주파수 - 전환: | 120MHz |
| 확장 설명: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6 |
| 기술: | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 120 @ 2mA, 6V |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100nA (ICBO) |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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